(1) ストークスとアンチストークスラマン散乱を用いた有機発光ダイオードの温度測定
ガラス/銅フタロシアニン（CuPc）/NPD/Alq3/LiF-Al構造をもつ有機発光ダイオードのストークスとアンチストークスラマン散乱を633 nm レーザー光で測定した．観測されたバンドは，すべてCuPcに帰属された．483 cm-1振動のアンチストークスとストークスラマンバンドの強度比から温度を決定した．400 mAの定電流で発光させた場合，温度は140 ℃で，熱電対で測定したガラス表面の温度81 ℃よりもかなり高い温度であった．
図1．ストークス・アンチストークスラマン散乱．励起レーザー光波長は 633 nm．発光ダイオードの電流は，(a) 0, (b) 100, (c) 200, (d) 300, (e) 400 mW．
1. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 2172 (2008).
(2) ラマンバンドの波数と温度の関係を用いた有機発光ダイオードの有機層の非接触温度測定
NPDとCuPcのラマンバンド波数の温度依存性を25から191 ℃の範囲で測定した．NPDの1607 cm-1バンドとCuPcの1531 cm-1バンドに関して，それぞれ92
と191 ℃以下の範囲で，波数と温度は線形であった．最小２乗法により波数と温度の関係式を求めた．これらの関係式を用いて，動作している有機発光ダイオードのNPDとCuPcの温度を求めた．NPDとCuPcの温度は，熱電対で測定したガラス表面の温度よりも高く，NPDの温度はCuPcよりも少し高い値であった．
図2．銅フタロシアニンの1531 cm-1付近のバンド波数の温度依存性．
3. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 3537 (2008).
(3) ペンタセン薄膜トランジスタに関する顕微ラマン分光
顕微ラマン分光により，薄膜トランジスタ（TFT）に使用されているペンタセン薄膜の分子配向を研究した．1533 cm-1(Ag)バンドに対する1596
cm-1 (B3g)バンドの相対強度が小さいほど，ペンタセン分子の長軸は基板面から垂直に近くなる．ボトムコンタクト型TFTではAu電極とSiO2チャネル領域で分子配向が異なり，Au上では傾き角が大きくなっている．また，トップコンタクト型TFTでは，金電極近傍で分子長軸の傾き角が大きく，電極近傍での構造の乱れがあることが分かった．
図3．(a) ボトムコンタクト型TFTにおけるI(1596)/I(1533)，(b) トップコンタクト型TFTにおけるI(1596)/I(1533)の２次元イメージ．Au電極近傍で構造の乱れが観測されている．
7. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 491, 317 (2008).
研究実績
● 原著論文
1. "Temperature Measurements of Organic Light-Emitting Diodes by Stokes and Anti-Stokes Raman Scattering"
H. Tsuji, A. Oda, J. Kido, T. Sugiyama, and Y. Furukawa
Jpn. J. Appl. Phys., 47(4), 2171-2173 (2008).
2. "Temperature Measurements of the PEDOT-PSS Layer in a Polymer Light-Emitting Diode by Stokes and anti-Stokes Raman Scattering"
T. Sugiyama, H. Tsuji, and Y. Furukawa
Chem. Phys. Lett., 453(4-6), 238-241 (2008).
3. "Noncontact Temperature Measurements of Organic Layers in an Organic Light-Emitting Diode by Wavenumber-Temperature Relations of Raman Bands"
T. Sugiyama and Y. Furukawa
Jpn. J. Appl. Phys., 47(5), 3537-3539 (2008).
4. "Generation, Isolation, and Reactivity of a Kinetically Stabilized Diphosphene Anion Radical"
N. Nagahora, T. Sasamori, Y. Hosoi, Y. Furukawa, and N. Tokitoh
J. Organometallic Chem., 693(4), 625-632 (2008).
5. " 1,2-Bis(ferrocenyl)disilene: A Multistep Redox System with an Si=Si Double Bond"
T. Sasamori, A. Yuasa, Y. Hosoi, Y. Furukawa, and N. Tokitoh
Organometallics, 27(14), 3325-3327 (2008).
6. "Synthesis and Reactions of a Stable 1,2-Diaryl-1,2-dibromodisilane: A Precursor for Substituted Disilenes and a 1,2-Diaryldisilyne"
T. Sasamori, K. Hironaka, Y. Sugiyama, N. Takagi, S. Nagase, Y. Hosoi, Y. Furukawa, and N. Tokitoh
J. Am. Chem. Soc., 130(42), 13856-13857 (2008).
7. "Micro-Raman Spectroscopy on Pentacene Thin-Film Transistors"
Y. Hosoi, D. M. Deyra, K. Nakajima, and Y. Furukawa
Mol. Cryst. Liq. Cryst., 491, 317-323 (2008).
● 総説など
1.「赤外・ラマン分光による有機デバイス中の有機薄膜分析」
古川行夫
応用物理，77(11), 1337?1340 (2008).
2.「赤外分光による有機薄膜の配向解析」
古川行夫，細井宜伸
有機薄膜形成とデバイス応用展開，大森裕監修，第4章第5節，シーエムシー出版，東京，pp. 201?206 (2008)．
● 招待・依頼講演
1. 「振動分光法を用いた有機デバイスの構造解析」
富士フィルム(株)解析技術センターゼミ，神奈川，2008年6月12日．
2. 「導電性高分子における電気伝導とその評価法」
技術情報協会セミナー「導電性高分子における合成法・ドーピングと評価・各種応用展開〜有機ＥＬ，高容量キャパシタ，コンデンサ，色素増感太陽電池への応用〜」，きゅりあん（東京），2008年6月23日．
3. 「有機デバイスの赤外分光」
バリアンFT-IR技術セミナー「表面，界面，微小領域における分光分析」，東京コンファレンスセンター（東京），2008年7月1日．
4. 「有機デバイスの赤外分光」
バリアンFT-IR技術セミナー「表面，界面，微小領域における分光分析」，千里ライフサイエンスセンター（大阪），2008年7月4日．
5. 「有機デバイス中の有機超薄膜の赤外・ラマン分光分析」
「有機デバイスの表面/界面分析技術セミナー」ソニー株式会社厚木TEC（厚木），2008年10月6日．
6. 「研究開発とIR分光」
第28回湘南ハイテクセミナー―研究開発と分析技術―，KUポートスクウェア（横浜），2008年12月4日．
● 受賞
1. 日本分光学会年次講演会優秀学生ポスター賞，添田有貴，2008年11月．
● 競争的資金
1. 文部科学省科学研究費補助金 萌芽研究「振動シュタルク効果の新しい測定法と解析法の開発」（代表）
2. 文部科学省科学研究費補助金 学術創成研究「高周期典型元素不飽和化合物の化学：新規物性・機能の探求」（分担）
3. グローバルCOE「実践的化学知」教育研究拠点（分担）
4. ハイテクリサーチセンター「分子設計による機能性新素材の開発」（分担）